三星电子株式会社专利龙8国际娱乐网址 

三星电子株式会社共有42363项专利

  • 本公开涉及一种通信方法和系统,所述通信方法和系统用于将支持超过第四代(4G)系统的更高的数据速率的第五代(5G)通信系统与物联网(IoT)龙8国际娱乐网址 融合。本公开可以应用于基于5G通信龙8国际娱乐网址 和与IoT相关的龙8国际娱乐网址 的智能服务,诸如智能家居、智能建筑、...
  • 提供了一种设备和方法。该方法包括:基于移动信息识别所述设备的视线方向。该方法还包括:识别在第一直线与第二直线之间形成的角度,该第一直线从显示器上的预定位置开始并且对应于所识别的视线方向,该第二直线从该预定位置开始并且对应于遵循从多个帧获...
  • 本公开涉及用于支持比诸如长期演进(LTE)的4G(第四代)通信系统更高的数据传输速率的5G(第五代)或pre‑5G通信系统。根据本公开的各种实施例,无线通信系统中的连接到分布单元(DU)和前传的中心单元(CU)中的设备可以包括:通信接口...
  • 提供了一种传输设备。所述传输设备包括:编码器,配置成通过基于包括信息字位和奇偶校验位的奇偶校验矩阵对输入位进行低密度奇偶校验(LDPC)编码来生成LDPC码字,所述LDPC码字包括多个位组,所述多个位组中的每个位组包括多个位;交织器,配...
  • 提供了一种传输设备。所述传输设备包括:编码器,配置成基于包括信息字位和奇偶校验位的奇偶校验矩阵通过对输入位进行低密度奇偶校验(LDPC)编码来生成LDPC码字,所述LDPC码字包括多个位组,所述多个位组中的每个位组包括多个位;交织器,配...
  • 提供了一种传输设备。所述传输设备包括:编码器,所述编码器配置成使用奇偶校验矩阵在输入位上执行低密度奇偶校验(LDPC)编码,从而生成包括信息字位和奇偶校验位的LDPC码字;交织器,所述交织器配置成将所述LDPC码字交织;以及调制器,所述...
  • 一种锁相环电路包括:压控振荡器,被配置为基于控制电压输出具有预定频率的时钟信号;相位频率检测器,被配置为将时钟信号与参考信号进行比较以输出第一控制信号和第二控制信号;电荷泵,被配置为基于第一控制信号和第二控制信号输出控制电压;电压源,包...
  • 一种数字控制振荡器(DCO)包括电流镜,所述电流镜被配置为在其第一输出端生成参考电流、以及在其第二输出端生成与所述参考电流的大小成比例的大小的供电电流。提供振荡电路,其响应于其输入节点处的供电电流。该振荡电路生成周期性输出信号,所述周期...
  • 本发明公开了一种晶体振荡器以及包括该晶体振荡器的基准时钟生成电路。所述晶体振荡器被配置为基于晶体的固有频率产生振荡信号。所述晶体振荡器可以包括:连接到具有第一电压的第一节点和具有第二电压的第二节点的电流生成电路,并且所述电流生成电路被配...
  • 一种半导体器件,包括:鳍式有源区,其在衬底上沿着与衬底的上表面平行的第一方向延伸;和源极/漏极区,其在延伸到鳍式有源区内的凹陷区内,其中,源极/漏极区包括:第一源极/漏极材料层;在第一源极/漏极材料层上的第二源极/漏极材料层;和在第一源...
  • 一种磁存储器件包括:包括单元区和外围电路区的基板;第一层间绝缘层,覆盖基板的单元区和外围电路区;在第一层间绝缘层中的互连线;外围导线和外围导电接触,在外围电路区上的第一层间绝缘层上,外围导电接触在外围导线与互连线中的相应一条互连线之间;...
  • 本发明公开了包括具有局部扩大的沟道孔的半导体器件,该半导体器件包括在衬底上的下堆叠结构、在下堆叠结构上的上堆叠结构以及在穿过上堆叠结构和下堆叠结构形成的沟道孔中的沟道结构。沟道孔包括在下堆叠结构中的下沟道孔、在上堆叠结构中的上沟道孔、以...
  • 一种半导体存储器件,包括:外围电路结构,包括外围电路绝缘层;中间连接结构,位于所述外围电路绝缘层上,所述中间连接结构包括中间连接绝缘层,并且所述中间连接绝缘层的底表面与所述外围电路绝缘层的顶表面接触;堆叠结构,位于所述中间连接结构的侧面...
  • 本发明构思涉及一种半导体器件及制造其的方法。一种半导体器件,其包括:限定在半导体衬底中的有源区域;在半导体衬底上的第一接触插塞,第一接触插塞连接到有源区域;在半导体衬底上的位线,位线与第一接触插塞相邻;在第一接触插塞与位线之间的第一气隙...
  • 一种半导体器件,其可以包括:有源鳍,所述有源鳍通过有源鳍之间的凹部彼此间隔开,所述有源鳍中的每一个从衬底的上表面突出;隔离结构,其包括在凹部的下部的下表面上和侧壁上的衬垫,以及在所述衬垫上的阻挡图案,所述阻挡图案填充所述凹部的下部的剩余...
  • 提供一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件,包括:半导体衬底,具有凹陷顶部部分和非凹陷顶部部分;第一鳍,从非凹陷顶部部分向上突出并且具有第一厚度;第二鳍,从凹陷顶部部分向上突出并且具有大于第一厚度的第二厚度;第一栅极结构,在非凹陷顶...
  • 本申请提供一种半导体封装件。所述半导体封装件包括具有竖直地堆叠在封装件衬底上的多个半导体芯片的芯片堆叠件。应力均衡芯片布置在所述芯片堆叠件上,所述应力均衡芯片构造为提供减小所述多个半导体芯片之间的电特性的变化。密封剂布置在所述封装件衬底...
  • 一种半导体封装件包括:基板;安装在基板上的半导体芯片;位于半导体芯片上且包括再分布图案的中介层芯片;位于中介层芯片上的第一焊盘;位于中介层芯片上并且与第一焊盘间隔开的第二焊盘;以及电连接到第二焊盘和基板的接合线。第二焊盘通过再分布图案电...
  • 本发明提供一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:第一结构,包括多个堆叠的第一半导体芯片,并通过具有不同高度的连接过孔电连接到第一重新分布层;以及第二结构,包括电连接到第二重新分布层的第二半导体芯片。所述第一重新分布层和所述第二重新分布...
  • 一种半导体器件包括衬底、穿透衬底的通孔、沿着通孔的内壁形成的通孔绝缘膜以及填充通孔的芯塞,其中,通孔绝缘膜的残余应力为60MPa至‑100MPa。
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