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江阴润玛电子材料股份有限公司共有57项专利

  • 本实用新型公开了一种酸性铜蚀刻液制备装置,所述制备装置包括硫酸储罐、非离子型表面活性剂储罐和第一混合罐,所述硫酸储罐出口和非离子型表面活性剂储罐出口分别与第一混合罐进口相连接;所述第一混合罐上设有进料通道,所述进料通道的上端开口设于第一...
  • 本实用新型公开了一种酸性氟化铵蚀刻液的制备装置,包括依次连接的辛胺储罐、第一混合罐、第二混合罐、调节阀、过滤装置和成品罐,所述第一混合罐上还连接有添加剂储罐,所述第二混合罐上还连接有氟化铵储罐、氟氢酸储罐和去离子水储罐,所述过滤装置为下...
  • 本实用新型公开了一种铜钛腐蚀液的制备装置,包括依次连接的双氧水储罐、混合罐、调节阀、过滤装置和成品罐,所述混合罐上还连接有去离子水储罐,所述双氧水储罐上还设有加液装置,所述加液装置包括用于向混合罐中输送双氧水的虹吸导液管,用于向双氧水储...
  • 本实用新型公开了一种铜制程用剥离液的制备装置,包括分别与混合罐进口连接的醇醚储罐、有机溶剂储罐、缓蚀剂储罐、表面活性剂储罐、去离子水储罐和顺次连接的混合罐、调节阀、过滤装置和成品罐;所述混合罐内还设有导流机构,所述导流机构包括混合罐内上...
  • 本实用新型公开了一种有机光刻胶剥离液的制备装置,包括依次连接的单乙醇胺储罐、第一过滤器、混合罐、调节阀、第四过滤器和成品罐,所述混合罐上还连接有有机溶剂储罐和表面活性剂储罐,所述有机溶剂储罐和表面活性剂储罐分别于第二过滤器和第三过滤器连...
  • 本实用新型公开了一种有机负胶显影液的制备装置,包括依次连接的环戊酮储罐、第一过滤器、第一强酸性阳离子交换树脂柱、混合罐、调节阀、活性炭柱、第三过滤器和成品罐,所述混合罐上设有顺次连接的有机溶剂储罐、第二过滤器和第二强酸性阳离子交换树脂柱...
  • 本发明涉及一种环保型金属去除液,包括如下质量百分比的成分醋酸40~65%,硝酸10~30%,表面活性剂1~2%,缓蚀剂0.1~2%,光亮剂0.1~1%,余量为纯水。表面活性剂选自非离子型表面活性剂和阴离子型表面活性剂复配混合物。缓蚀剂选...
  • 本发明涉及一种半导体芯片用镍银腐蚀液,包括醋酸溶液,硝酸溶液,表面活性剂,分散剂,络合剂,余量为纯水。表面活性剂采用非离子型表面活性剂和阴离子型表面活性剂复配混合物。本申请镍银腐蚀液具有润湿性能高,稳定性高,在进行有效腐蚀镍、银金属的同...
  • 本发明涉及一种半导体行业凸块制程用铜钛腐蚀液,包括氢氧化钾,双氧水,络合剂,表面活性剂,余量为纯水。本申请铜/钛腐蚀液或蚀刻液具有体系稳定性能高,工艺温度低,本体系药液双氧水比例为5~10%、工艺温度为常温,目前现有龙8国际娱乐网址 分步骤蚀刻所使用...
  • 本发明涉及一种TFT行业铜制程用高回收率环保型剥离液,包括如下质量百分比的成分,醇醚40~50%,低沸点有机溶剂30~45%,缓蚀剂1~5%,非离子型表面活性剂1~5%,余量为纯水。其中,低沸点有机溶剂为酰胺类或内酰胺类低沸点有机溶剂中...
  • 本发明涉及一种半导体凸块制程用钛钨腐蚀液组合物,组分按质量百分比计为,过氧化氢10~30%、铜离子络合剂0.05~5%、过氧化氢稳定剂0.05~5%、表面活性剂0.001~0.1%、助洗剂0.1~1%和余量水。所述助洗剂为羟基羧酸类、硼...
  • 本发明涉及一种半导体凸块制程用正胶去胶液,包括如下质量百分比的成分水溶性有机溶剂35~60%,有机胺类10~50%,金属保护剂0.05~0.1%,表面活性剂0.05~0.1%,表面活性助剂0.01~0.04%,余量为纯水。本发明的正胶去...
  • 本发明公开了一种超净高纯硫酸的生产方法,所述方法包括如下步骤:(1)除杂:将工业级硫酸注入处理槽,机械搅拌下加入除杂剂,静置后过滤;(2)精馏:将步骤(1)中的滤液经负压引入连续精馏装置中,待液位略高于加热炉丝时,通电加热连续精馏;每次...
  • 本发明公开了一种新型有机负胶显影液,其特征在于,所述显影液包括环戊酮、有机溶剂和铝保护剂;所述有机溶剂包括石油醚与四氢呋喃的混合物,或者石油醚与环氧乙烷的混合物;所述铝保护剂至少包括钼酸钠、苯并三氮唑。本发明有机负胶显影液在高效去除有机...
  • 本发明公开了一种超净高纯丙酮的生产方法,所述方法步骤如下:(1)干燥剂初步除水;(2)脱水剂进一步脱水;(3)氧化剂除杂;(4)精馏;(5)循环微滤。本发明分别采用干燥剂和脱水剂除水,有效降低精馏丙酮前的含水量,且使用的脱水剂可以有效去...
  • 本发明公开了一种AM‑OLED显示屏用ITO/Ag/ITO蚀刻液及其制备方法。该蚀刻液包括磷酸、醋酸、硝酸、添加剂、表面活性剂以及纯水。该蚀刻液制备方法是在常温常压下保持配料罐搅拌器转速,向配料罐中依次加入纯水、磷酸、醋酸、硝酸、添加剂...
  • 本实用新型涉及一种高蚀刻速率无残留酸性铝蚀刻液生产装置,其特征在于:它包括磷酸储罐(1)、醋酸储罐(2)、第一混合罐(3)、硝酸储罐(4)、第二混合罐(5)、配料罐(6)、去离子水储罐(7)、阴离子表面活性剂储罐(8)、聚氧乙烯型非离子...
  • 一种高选择性钛层腐蚀液组合物
    本发明公开了一种高选择性钛层腐蚀液组合物,其特征在于,所述组合物的组分及重量百分比分别为:浓度为30%的过氧化氢10~30%、过氧化氢稳定剂0.01~0.1%、金属络合剂0.01~0.1%、表面活性剂0.01~0.1%和余量水。该钛层腐...
  • 本发明公开了一种TFT铜钼层叠膜蚀刻液组合物,组合物的组分及重量百分比分别为:5~30%的过氧化氢、0.1~5%的H2SO4、过硫化物、氯化物、过氧化氢稳定剂0.005~0.3%、金属络合剂0.005~0.3%、表面活性剂0.005~0...
  • 本发明涉及一种导电性增强的橡胶的制备方法,该方法包括:将双辊开炼机的前辊温控制在120℃,后辊温控制在110℃,将硅橡胶、γ-巯丙基三甲氧基硅烷、二甘醇单丁醚己二酸酯、过氧化二异丙苯、N-(1,3-二甲基)丁基-N'-苯基对苯二胺、CT...